最新熱點:
AMD 拒保 7950X3D 被罵爆了 被廣泛報道後 AMD 推翻決定同樣換新
白帽協助 AMD 修復重大安全漏洞 卻以政策條款為由 拒絕提供 1 萬元獎金
昆博會「紅棗」附連鹹片 QR Code 業者︰網域遭駭來不及重印 已下架
美國政府突然以國家安全為由 禁止海外用戶使用 Claude 最新 AI 模型
Intel 推出 Raptor Lake Next 處理器 2027 年上半年登場 支援 DDR4 成關鍵
17 年前 OpenAI 工程師舊片翻紅 發現對著 HDD 大叫會令速度大幅減慢
荷蘭非牟利機構控告 Steam 壟斷 抽取高額佣金 令荷蘭玩家損失 2.2 億
ROG Equalizer 線材也沒用 ? 電源專家︰問題在接頭 不是在線材
導入多項 AI 功能、680Hz 「三重模式」登場!! MSI 全新顯示器陣容強勢列陣
40 呎影像傳輸、即插即用 Belkin ConnectAir 無線 HDMI Adaptor
豐田 22 年日本一哥地位終結 被日本記憶體 Kioxia 搶走龍頭寶座
堅守數據主權與加速運算並存 Synology 倡本地儲存「Build for AI」策略
中國成功研發「奈米壓印」技術 無需 ASML 光刻機設備 生產成本省 90%
2026 年全球手機市場進入寒冬 入門級、低價機面臨絕種 出貨量大跌
工程師分享「HSK Pro」改裝專案 超輕量、純指尖滑鼠 實測一年正式開源
SK Hynix︰晶圓產能 5 年內翻倍 2034 年前升至 3 倍 但預計仍供不應求
鄰居子彈射穿牆壁 擊中 PC 主機 幸好 G.SKILL 散熱片夠厚 救了玩家一命
Samsung 無理拒絕 SSD RMA 用家揚言告上法庭 也只願原價退款
🐍 【Razer 六月狂賞】升級電競裝備最佳時機! 精選電競周邊限時激減 🔥
顯示卡 2026 年 Q1 出貨量報告 PC 出貨量下跌 顯示卡裝機率升至 76%
2018-03-20
最新有消息指,WD 將會逐步淘汰 HGST 品牌,主要原因是 HGST 的品牌與 WD公司的戰略定位不符,第一步 WD 將會更改產品名稱,首先會把早前發佈、面向數據中心的 HDD 產品「HGST Ultrastar 7K8」改名為「Western Digital Ultrastar DC HC320」。Hitachi Global Storage Technologies ( HGST ) 日立環球儲存科技成立於 2003 年,是由 IBM 與 Hitachi 的硬盤業務合併而成,在 2012 年,WD 收購了 HGST,按原有的收購計劃 HGST 將繼續擁有自己的品牌和產品線,在 2015 年,WD 也收購了另一品牌 Sandisk,根據 WD 最新的宣佈,商標及企業產品的品牌名稱可能會消失,並將被 WD 的品牌所取代。
HGST HDD 產品線管理總監 Lenny Sharp 寫道:“隨著我們轉型離開 HGST 品牌,所有新推出的商業和企業產品都將進行這項新的 WD 品牌推廣,WD與多家公司的整合發生了重大轉變。將所有商業和企業產品轉移到 Western Digital品牌是統一產品組合中品牌的第一步。“
目前,要將SD卡連接到電腦機,我們需要使用讀卡器或設備插入並通過USB連接,這些 SD 卡在速度上相對會較慢,運行時最高速度為 90MB/s 或 100 MB/s,實際上可能維持在 20 MB/s 或 30 MB/s 左右,然而 WD 最新推出了一款全新解決方案:一個帶有 PCI-e 接口的 SD 儲存卡。WD在 MWC 2018 大會上就展示了全新 SD 儲存卡的初型,創建此卡的原因是希望業界支持及採用全新的 SD PCIe 標準,全新 SD 儲存卡採用 PCI-E 3.0 x1 傳輸接口,讀寫速度大大提升,已然超過了不少 SSD。
WD 為該卡設計了一個適配器,允許 SD 卡連接到 M.2 連接器,以達到 880 MB/s 的連續讀取速度和 430 MB/s 的連續寫入速度,並允許SD卡運行 UHS-III 規格及必要的引腳,以便能夠提供高速的傳輸頻寬。
Toshiba 與 WD 在 2017 年經歷長時間的法律訴訟及合資爭議後,已於 2017 年 12 月 13 日達成和解,雙方延展合資關係至 2029 年,並確保 WD 在 Fab6 中能夠參與投資,延續在 96 層以後 3D-NAND Flash 的競爭門票。Toshiba 隨即 在 12 月 21 日宣布 Fab 7 興建計畫,TrendForce 記憶體儲存研究 ( DRAMeXchange ) 指出,隨著 Toshiba、Samsung、Intel、Yangtze 長江存儲等都將擴增 NAND Flash 產能,對 NAND Flash 產業的影響將在 2019 年轉趨明顯,並使得整體產業可望呈現供過於求狀況。DRAMeXchange 指出,Toshiba Fab 7 有別於以往廠房集中於四日市,廠址改設在岩手縣北上市,該廠投入量產的時程將落在 2019 年下半年後,主要投產 96 層以上的 3D-NAND Flash,對整體產出真正產生影響的時間點將落在 2020年。
綜觀 2018 到 2020 年 NAND Flash 擴產趨勢,DRAMeXchange 指出,各個陣營皆可說是磨刀霍霍,除 Toshiba 剛宣布新建的 Fab 7 以及已興建中的 Fab 6 以外,備受各界關注的 Yangtze 長江存儲位於武漢未來城的生產基地也預計於 2018 年下半年開始營運,初期投產 32 層的 3D-NAND Flash 產品,並致力 64 層產品的開發,以拉近與其他供應商之間的差距。